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器件研发工程师
面议 上海 应届毕业生 学历不限
  • 全勤奖
  • 节日福利
  • 不加班
  • 周末双休
上海道之科技有限公司 2025-03-06 00:14:20 95人关注
职位描述
该职位还未进行加V认证,请仔细了解后再进行投递!
岗位职责:
1. 工作地点:长沙、嘉兴或者上海;
2. 进行IGBT,MOSFET,FRD等功率半导体器件的新产品研发工作,包括工艺仿真、结构设计、工艺流程制定;
3. 新产品开发和项目管理计划的制定及实施;
4. 新产品、新技术的跟进和研究。
任职要求:
1. 微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业,具有扎实的物理基础和半导体器件基础;
2. 硕士/博士学历,或者本科学历具有功率半导体器件相关工作经验3年以上,熟悉IGBT,MOSFET,FRD等功率半导体器件的开发流程;
3. 具有Fab实际经验和上述功率半导体器件的实际开发/生产经验者优先;
4. 熟悉器件仿真(TCAD Simulation)和 版图设计(Layout Design);
5. 具有较强的沟通能力、独立思考能力及团队协作能力;
6. 学习能力较强,具有创新精神。
联系方式
注:联系我时,请说是在新乡人才网上看到的。
工作地点
地址:上海嘉定区外冈清能路85号 查看地图
求职提示:用人单位发布虚假招聘信息,或以任何名义向求职者收取财物(如体检费、置装费、押金、服装费、培训费、身份证、毕业证等),均涉嫌违法,请求职者务必提高警惕。
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